Аннотация. В данной работе приведен литературный обзор программы моделирования Scaps-1D. Численный анализ в SCAPS является обязательным подходом для оценки осуществимости предлагаемой физической структуры и ее производительности. Ограничение SCAPS заключается в том, что он плохо работает в средах моделирования нескольких соединений (pnp, pnpn, tandem). Данная программа вычисляет энергетические диапазоны, концентрации и токи в заданной рабочей точке, характеристики J-V, характеристики переменного тока, спектральную характеристику и может построить схему до 7 полупроводниковых слоев.

Ключевые слова: SCAPS-1D, солнечный элемент, полупроводниковый, тандемный солнечный элемент.